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2. Si wafer를 이용하여 할 수 있는 공정
- Thermal Oxidation으로 SiO2 Growing된 Wafers ( SiO2 Thickness : 500A~3um)
- DC/ RF Sputter , e_beam Evaporation Process로 Metal Deposition Process
- PECVD를 이용한 SiO2 , Si3N4 (~1,000A) 증착
- LPCVD를 이용한 Si3N4 ( Low Stress 이용 )
- CMP를 이용한 Thickness조정 (>100um)
- Dicing을 이용한 Size 조절 가능
- Patterning Process 및 Glass나 Quartz와의 Bonding Process
- Hole 제작 가능
- Deep Si Etching / KOH Wet Etching 을 통한 Patterning 관통 혹 Si 자제 Etching 가능
- SOI (Silicon On Insulator ) , SOG ( Silicon On Glass) , SOQ ( Silicon On Quartz) 제작 가능
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